半導體芯片生產(chǎn)工藝流程

半導體芯片是現代電子產(chǎn)品的核心組成部分，其生產(chǎn)工藝涉及多個(gè)環(huán)節，包括光刻、腐蝕、離子注入等。博泰小編帶大家了解半導體芯片生產(chǎn)的整個(gè)流程。

一、清洗

芯片在加工前需進(jìn)行清洗，清洗設備通常為柵氧化清洗機和氧化擴散清洗機。

二、氧化

氧化過(guò)程就是把清洗干凈，通過(guò)離心甩干的硅片板送入高溫爐管內進(jìn)行退火處理，爐管內溫度800-1500℃。

三、淀積

淀積系統就是在硅片表面形成具有良好的臺階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質(zhì)量金屬薄膜的設備系統。

四、光刻

在硅晶片涂上光致蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì )溶解，在光刻機的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，用溶劑將其沖走。

五、刻蝕

以化學(xué)蝕刻的方法或用干法氧化法，去除氨化硅和去掉經(jīng)上幾道工序加工后，在硅片表面因加工應力而產(chǎn)生的一層損傷層的過(guò)程。

六、二次清洗

將加工完成的硅片需要再次經(jīng)過(guò)強酸堿清洗、甩干，去除硅片板上的光刻膠。

七、離子注入

將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機將硼離子(B+3)透過(guò)Si02膜注入襯底，形成P型阱。去除氨化硅層，摻雜磷(P+5)離子，形成N型阱。

八、快速退火

從離子注入機中取出硅片放入快速退火爐中進(jìn)行退火處理，去除Si02層，與離子注入工藝根據需要反復循環(huán)進(jìn)行。

九、蒸鍍

薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不一樣，厚度通常小于1um，分真空蒸發(fā)法和濺鍍法。

十、檢測

檢測就是進(jìn)行全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達到規定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標。